5月27日早盘，港股天岳先进（HK2631）(2631.HK)、英诺赛科（HK2577）(2577.HK)大涨，截至发稿，天岳先进（HK2631）(2631.HK)涨16.22%，英诺赛科（HK2577）(2577.HK)涨8.09%。
消息面上，据财联社，美国银行（BAC）最新研究报告指出，随着英伟达（NVDA）GPU平台迭代，数据中心机柜功耗将从传统服务器的10至15千瓦飙升至2029至2030年Feynman平台时代的逾1.5兆瓦，涨幅接近100倍，现有电力基础设施已无力承载这一需求。碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)成为破解电力瓶颈的核心材料，正从汽车与工业周期（883436）需求转向AI数据中心长期结构性需求。
公开资料显示，天岳先进（HK2631）(2631.HK)是国内碳化硅衬底龙头，高端SiC材料性能达标，适配先进封装（886009）中介层应用场景，技术壁垒高，且市场份额全球第一。英诺赛科（HK2577）(2577.HK)为全球首家实现8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)集成设计制造量产的企业。公司凭借在氮化镓领域的丰厚积累和经验，成功将氮化镓的应用边界从消费电子（881124）拓展至AI数据中心、新能源汽车（885431）及机器人关节驱动三大核心领域。
两家企业卡位AI算力核心赛道，充分受益于AI算力基建升级，成长逻辑清晰。
数据显示，天岳先进（HK2631）(2631.HK)和英诺赛科（HK2577）(2577.HK)均是港股通信息C(中证港股通信息技术综合指数)的成分股。港股通信息C从港股通标的中，选取中证行业一级分类是信息技术的股票，进行打包编制，重仓港股“半导体（881121）+电子+计算机”三大核心领域。
港股通信息技术ETF华夏(526000)跟踪港股通信息C(中证港股通信息技术综合指数)，支持T+0交易。
