9月7日午后，半导体设备（884229）、材料涨幅进一步扩大，江丰电子（300666）、矽电股份（301629）分别大涨8%、7%，立昂微（605358）、芯源微（688037）、华峰测控（688200）、长川科技（300604）等多股涨超6%，拓荆科技（688072）、中微公司（688012）、北方华创（002371）等纷纷跟涨。
ETF方面，半导体设备（884229）ETF招商（561980）高开高走，截至发稿，标的指数盘中上涨3%。资金面数据显示，该ETF连续6日净流入共达2.5亿元，20个交易日内16度净流入共超6亿元，显示板块拥挤度回流后资金持续增仓。
消息面上，近日，国内半导体设备（884229）龙头北方华创（002371）在IEEE期刊发表学术论文，宣布在3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破，开发出创新的“两步循环刻蚀”工艺。
在高端设备出口管制持续收紧的背景下，这一突破或为国产存储芯片（886042）开辟一条制造新路径。业界分析认为，长鑫若能整合北方华创（002371）的国产刻蚀设备与相关工艺，将大幅提升3D DRAM自主量产的可行性，有望在2027年迎来新一轮研发突破。
数据显示，长鑫存储2026年第二季度全球DRAM市场份额已提升至10%，排名第四，是当季成长最快的DRAM供应商。
同时，华为在半导体（881121）理论层面迎重磅验证。继5月25日V1版本、7月4日V2版本之后，9月4日，华为韬定律V3版本首次以量产芯片实测数据正面回应3D堆叠散热难题，麒麟实测晶体管密度跃升55%，同等性能下NPU功耗下降66%、GPU功耗下降58%、CPU性能核心功耗下降41%。
业内分析称，北方华创（002371）近期在3D DRAM刻蚀工艺上的突破，与华为韬定律3.0从不同维度指向同一个方向——三维堆叠正在成为后摩尔时代国产半导体（881121）换道超车的确定性路径。从设备端到设计端，国产半导体（881121）产业链或正在形成从底层理论到制造工艺的完整突破链条。
据悉，半导体设备（884229）ETF招商（561980）跟踪中证半导，覆盖北方华创（002371）、中微公司（688012）、拓荆科技（688072）等、长川科技（300604）等设备龙头，2020年以来上涨422%领先半导体材料（884091）设备（302%）、科创芯片（270%）等同类指数。3D DRAM工艺突破带来的设备需求增量，叠加韬定律指引下3D堆叠架构对刻蚀、薄膜沉积等设备的持续拉动，或为国产半导体设备（884229）持续夯实逻辑。
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