8月全球DRAM、NAND均价再创新高,涨价幅度环比收窄

2026-09-02 23:28:21
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AIME

问财摘要

1、8月全球DRAM与NAND闪存均价创历史新高,但涨幅较7月有所收窄。 2、集邦咨询将第三季度PC DRAM合约价涨幅预期上调至18-23%,较第二季度的45-50%已明显回落。 3、存储芯片涨价节奏正在放缓,建议关注PCB、存储、半导体设备及材料、先进封装等产业链投资机遇。
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截至9月2日10时58分,市场震荡调整,同指数费率最低标的科创芯片ETF(588290)跟踪指数下跌2.29%。支持T+0、聚焦港股硬科技的港股通信息技术ETF(VGT)(513240)跟踪指数下跌1.96%。成分股中,安克创新(HK0668)上涨6.18%,建滔积层板(HK1888)上涨1.87%,艾为电子(688798)上涨0.22%。

消息面上,受AI基础设施需求扩张推动,今年8月全球DRAM与NAND闪存均价再创历史新高,但涨幅较7月有所收窄。集邦咨询数据显示,8月标准PC DRAM均价25美元,环比上涨4.2%,较2016年统计起始时的2.90美元已涨超七倍;标准NAND均价30.50美元,环比仅涨1.4%,实现连续20个月上涨。

集邦咨询将第三季度PC DRAM合约价涨幅预期上调至18-23%,但较第二季度的45-50%已明显回落。SLC价格涨幅也从7月的34-51%收窄至16-28%,机构预计后续MLC涨价态势将进一步降温,整体存储芯片(886042)涨价节奏正在放缓。

相关研究机构表示,算力产业链中高景气细分赛道如PCB、存储等需求旺盛,均处于景气扩张周期(883436),亦有望提振上游设备、先进封装(886009)等需求,建议关注PCB、存储、半导体设备(884229)及材料、先进封装(886009)等产业链投资机遇。(风险提示:以上信息仅供参考,不构成投资建议。入市有风险,投资需谨慎。)

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