5月22日，三大指数集体上涨，截至发稿上证综指上涨0.35%，深证成指（399001）上涨1.24%，创业板指（399006）上涨1.63%。上证科创板芯片设计主题指数(950162.SH)上涨1.82%，该指数成分股中，晶晨股份（688099）上涨超6%，概伦电子（688206）与国芯科技（688262）上涨超5%，普冉股份（688766）上涨近4%。

相关ETF方面，科创芯片设计ETF天弘(589070)截至发稿成交额超3000万元，换手率超7%。

科创芯片设计ETF天弘(589070)紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现，“含芯量”满满。

消息面上，据每日经济新闻，当地时间5月21日，AMD(超威半导体（AMD）)宣布，将向中国台湾地区半导体（881121）与AI产业生态圈投入超100亿美元，推进高端芯片研发与生产。依托台积电（TSM）的产业优势，中国台湾地区成为全球半导体（881121）核心区域。受益于AI基建高额投入，AMD股价年内涨幅约110%，正加紧与英伟达（NVDA）展开市场角逐。AMD将联合当地日月光、彩晶科技等企业，合作攻坚芯片互联、封装制造技术，提升芯片能效。AMD同时携手新美亚、纬颖等多家厂商协同研发，相关技术将支撑旗下Helios人工智能（885728）服务器于2026年下半年正式落地应用。

爱建证券指出，从行业维度看，DRAM正处于AI驱动的新一轮超级景气周期（883436）。存储芯片（886042）巨头上市进程加快，行业扩产需求旺盛，AI热潮带动先进封装（886009）赛道快速成长，产业链整体向好。受AI训练、AI推理、高性能计算及HBM需求爆发驱动，全球DRAM市场规模预计将从2025年的约1505亿美元增长至2030年的5710亿美元，期间复合增长率达到30.56%。AI驱动下全球DRAM行业进入新一轮扩产与技术升级周期（883436），产能扩张是中国DRAM厂商未来成长的核心驱动力。当前海外三大原厂持续加大HBM产能投入，传统通用型DRAM供给阶段性收缩，国内厂商凭借扩产节奏及产品迭代，加速DDR5、LPDDR5等高端产品导入，持续承接结构性供需缺口。随着先进制程持续推进及高端产品占比提升，国内DRAM产业链资本开支景气度有望持续上行。